【硅】美國橡樹嶺國家實驗室的發(fā)現(xiàn)帶來硅器件替代品出現(xiàn)
2016年03月23日 10:31 31458次瀏覽 來源： 中國國防科技信息網(wǎng) 分類： 硅
利用美國能源部橡樹嶺國家實驗室（ORNL）開發(fā)的生產(chǎn)工藝，二維電子器件可以逐漸更接近他們的最終展望，即低功耗、高效率和機械柔性。
奧爾加·夫欽尼科娃領導的ORNL納米材料科學部一個研究小組用氦離子顯微鏡，在體型銅銦硫材料的一個層狀鐵電體表面進行原子尺度的“噴砂處理”。該結果是一個令人吃驚的發(fā)現(xiàn)，具有剪裁特性的材料可能對手機、太陽能電池、柔性電子器件和顯示屏具有潛在應用價值。研究結果已發(fā)表在ACS應用材料與界面雜志上。
“我們的方法開辟了在二維材料上直接寫入和編輯電路的新途徑，不需要目前最先進的復雜多步光刻工藝線路。”夫欽尼科娃說。
她和同事Belianinov指出，雖然氦離子顯微鏡通常用于物質(zhì)的切割和塑形，但也可以被用來控制鐵電疇的分布，提高納米結構的導電性和生長。他們的工作可以建立一個途徑，以在一些應用領域取代硅半導體技術。
“每個人都在尋找下一代將取代硅的晶體管材料，”論文的第一作者Belianinov稱。“二維器件由于低功耗、更易制備、成本更便宜，而不需要苛刻的化學物質(zhì)而突出，這些化學物質(zhì)可能對環(huán)境有害。”
利用基于二維材料的器件降低功耗可以顯著改善電池性能。“想象一下，你有一個手機，除了一個月充一次電，不需要再次充電。”夫欽尼科娃說。（工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所 張慧）
責任編輯：李峒峒
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